1.3 micrometers Wavelength Vertical Cavity Surface Emitting Laser Fabricated by Orientation-Mismatched Wafer Bonding: A Prospect for Polarization Control.
(31/05/2013)
We propose and demonstrate a long-wavelength vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) which consists of a (311)B InP-based active region and (100) GaAs-based distributed Bragg reflectors (DBRs), with an aim to control the in-plane polarization of output power. Crystal growth on (311)B InP substrates was performed under low-migration conditions to achieve good crystalline quality. The VCSEL was fabricated by wafer bonding, which enables us to combine different materials regardless of their lattice and orientation mismatch without degrading their quality. The VCSEL was polarized with a power extinction ratio of 31 dB....
Tác giả: Okuno, Y. L.; Geske, J.; Gan, K.; Chiu, Y.; DenBaars, S. P. |
Số trang: 4 |
Lĩnh vực: Hóa học |
Năm XB: 2005 |
Loại tài liệu: Khác
Tài liệu cần xác thực trước khi tải
Tiêu đề | Tải về |
| Số trang:
| Loại file:
|
miễn phí
|
© Copyright 2012 Trung tâm Thông tin Khoa học và Công nghệ - Sở Khoa học & Công nghệ TP. Cần Thơ
Địa chỉ: 118/3 Trần Phú - P.Cái Khế - Q.Ninh Kiều - TPCT
Điện thoại: 0292 3824031 Fax: 0292 3812352
|
|
Lượt truy cập:
(Website trong thời gian thử nghiệm)