Cast   Canthostnews   Libol   Catex [ Đăng Ký ] [ Đăng Nhập ]

Thống kê

Tổng tài liệu: 44986
Trong đó:
  • Bài báo: 25
  • Đề tài - Dự án: 192
  • Media: 23
  • Sách: 1029
  • Tài liệu khác: 40013
  • Tiêu chuẩn/ Quy chuẩn: 3704

Danh mục tài liệu

  Khoa học Tự nhiên (14868)
  Khoa học Kỹ thuật (15647)
  Khoa học Đời sống (1662)
  Xã hội và Nhân Văn (555)
  Khoa học Sức khỏe (8557)
  Tiêu chuẩn/Quy chuẩn (3697)

Danh mục Alphabet

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z


A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

 

1.8 kV, 10 mOmega-square cm 4H-SiC JFETs (Preprint). (31/05/2013)
Fabrication and characteristics of high voltage, normally-on junction field effect transistors (JFETs) in 4H-silicon carbide (4H-SiC) are presented. The devices were built on 5x10(exp 15) cm(exp -3) doped, 12 micron thick n-type epilayer grown on a n+ 4H-SiC substrate. A specific on-resistance of 10 mOmega-square cm and a blocking voltage of 1.8 kV were measured. Device characteristics were measured for temperatures up to 300 deg C. An increase of specific on-resistance by a factor of 5 and a decrease in transconductance were observed at 300 deg C, when compared to the value at room temperature. This is due to a...
Tác giả: Scofield, J.; Ryu, S.; Krishnaswami, S.; Fatima, H.; Agarwal, A. K. | Số trang: 8 | Lĩnh vực: Hóa học | Năm XB: 2006 | Loại tài liệu: Tài liệu khác
Tài liệu cần xác thực trước khi tải

Tiêu đềTải về
  | Số trang:
         | Loại file: .pdf
  miễn phí
© Copyright 2012 Trung tâm Thông tin Khoa học và Công nghệ - Sở Khoa học & Công nghệ TP. Cần Thơ
Địa chỉ: 118/3 Trần Phú - P.Cái Khế - Q.Ninh Kiều - TPCT
Điện thoại: 0710 3824031   Fax: 07103 812352
Lượt truy cập:
(Website trong thời gian thử nghiệm)