Cast   Canthostnews   Libol   Catex [ Đăng Ký ] [ Đăng Nhập ]

Thống kê

Tổng tài liệu: 44986
Trong đó:
  • Bài báo: 25
  • Đề tài - Dự án: 192
  • Media: 23
  • Sách: 1029
  • Tài liệu khác: 40013
  • Tiêu chuẩn/ Quy chuẩn: 3704

Danh mục tài liệu

  Khoa học Tự nhiên (14868)
  Khoa học Kỹ thuật (15647)
  Khoa học Đời sống (1662)
  Xã hội và Nhân Văn (555)
  Khoa học Sức khỏe (8557)
  Tiêu chuẩn/Quy chuẩn (3697)

Danh mục Alphabet

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z


A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

 

Apparatus and Method for Optimizing the Efficiency of Germanium Junctions in Multi-Junction Solar Cells. (30/05/2013)
In a preferred embodiment, an indium gallium phosphide (InGaP) nucleation layer is disposed between the germanium (Ge) substrate and the overlying dual-junction epilayers for controlling the diffusion depth of the n-doping in the germanium junction. Specifically, by acting as a diffusion barrier to arsenic (As) contained in the overlying epilayers and as a source of n-type dopant for forming the germanium junction, the nucleation layer enables the growth time and temperature in the epilayer device process to be minimized without compromising the integrity of the dual-junction epilayer structure. This in turn allows the arsenic diffusion into the germanium substrate to...
Tác giả: Stan, M. A.; Li, N. Y.; Spadafora, F. A.; Hou, H. Q.; Sharps, P. R.; Fatemi, N. S. | Số trang: 9 | Lĩnh vực: Khoa học Xã hội | Năm XB: 2005 | Loại tài liệu: Tài liệu khác
Tài liệu cần xác thực trước khi tải

Tiêu đềTải về
  Apparatus and Method for Optimizing the Efficiency of Germanium Junctions in Multi-Junction Solar Ce | Số trang: 9
         | Loại file: .pdf
  miễn phí
© Copyright 2012 Trung tâm Thông tin Khoa học và Công nghệ - Sở Khoa học & Công nghệ TP. Cần Thơ
Địa chỉ: 118/3 Trần Phú - P.Cái Khế - Q.Ninh Kiều - TPCT
Điện thoại: 0710 3824031   Fax: 07103 812352
Lượt truy cập:
(Website trong thời gian thử nghiệm)