CAST   TRITHUCKHOAHOC   LIBOL   CATEX [ Đăng Ký ] [ Đăng Nhập ]

Thống kê

Tổng tài liệu: 53365
Trong đó:
  • Bài Báo: 4532
  • Đề tài - Dự án: 379
  • Khác: 42729
  • Media: 85
  • Sách: 1045
  • Tiêu chuẩn/ Quy chuẩn: 4595

Danh mục tài liệu

  Khoa học Tự nhiên (16539)
  Khoa học Kỹ thuật (17907)
  Khoa học Đời sống (3301)
  Xã hội và Nhân Văn (1993)
  Khoa học Sức khỏe (8878)
  Tiêu chuẩn/Quy chuẩn (4747)

Danh mục Alphabet

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z


A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

 

Silicon Carbide Micro-devices for Combustion Gas Sensing under Harsh Conditions. Final Technical Report October 1, 2003 to September 30, 2008. (05/01/2014)
A sensor based on the wide bandgap semiconductor, silicon carbide (SiC), has been developed for the detection of combustion products in power plant environments. The sensor is a catalytic gate field effect device, Pt/SiO(sub 2)/SiC that can detect hydrogen-containing species in chemically reactive, high temperature (600 C) environments. We demonstrate that the device can be used as a hydrogen monitor in syngas applications of common interferants as well as sulfur and water vapor. These measurements were made in the Catalyst Screening Unit at NETL, Morgantown under atmospheric conditions. The sensor response to hydrogen gas at 350 C is 240 mV/decade,...
Tác giả: Ghosh, R. N.; Loloee, R.; Tobin, R. G. | Số trang: 73 | Lĩnh vực: Năng lượng | Năm XB: 2008 | Loại tài liệu: Khác
Tài liệu cần xác thực trước khi tải

Tiêu đềTải về
  Silicon Carbide Micro-devices for Combustion Gas Sensing under Harsh Conditions. Final Technical Report October 1, 2003 to September 30, 2008. | Số trang: 0
         | Loại file: .pdf
  miễn phí


Tài liệu liên quan
© Copyright 2012 Trung tâm Thông tin Khoa học và Công nghệ - Sở Khoa học & Công nghệ TP. Cần Thơ
Địa chỉ: 118/3 Trần Phú - P.Cái Khế - Q.Ninh Kiều - TPCT
Điện thoại: 0292 3824031   Fax: 0292 3812352
Lượt truy cập:
(Website trong thời gian thử nghiệm)