Cast   Canthostnews   Libol   Catex [ Đăng Ký ] [ Đăng Nhập ]

Thống kê

Tổng tài liệu: 44475
Trong đó:
  • Bài báo: 23
  • Đề tài - Dự án: 192
  • Media: 18
  • Sách: 576
  • Tài liệu khác: 40012
  • Tiêu chuẩn/ Quy chuẩn: 3654

Danh mục tài liệu

  Khoa học Tự nhiên (14830)
  Khoa học Kỹ thuật (15585)
  Khoa học Đời sống (1607)
  Xã hội và Nhân Văn (257)
  Khoa học Sức khỏe (8550)
  Tiêu chuẩn/Quy chuẩn (3646)

Danh mục Alphabet

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z


A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

 

4-Mbit Non-Volatile Chalcogenide-Random Access Memory Designed for Space Applications (Preprint). (05/01/2014)
A 4Mbit non-volatile Chalcogenide-Random Access Memory (C-RAM)(tm) has been designed and fabricated in RH25, a radiation hardened CMOS technology. The top-down design focused on accommodating chalcogenide process variations and satisfying space system specifications. The optimized band-gap circuit supplies reference current and voltage that meet temperature and voltage requirements. The innovative write circuitry supplies appropriate currents (amplitude and shape) to the chalcogenide memory cells to allow them to be programmed either in amorphous state (write '0') or crystalline state (write '1'). The on-chip pulse generator circuit can provide multiple pulse widths for write '0' and write '1', as well as preconditioning...
Tác giả: Li, B.; Bumgarner, A.; Pirkl, D.; Stobie, J.; Neiderer, W. | Số trang: 9 | Lĩnh vực: CNTT | Năm XB: 2007 | Loại tài liệu: Tài liệu khác
Tài liệu cần xác thực trước khi tải

Tiêu đềTải về
  4-Mbit Non-Volatile Chalcogenide-Random Access Memory Designed for Space Applications (Preprint). | Số trang: 9
         | Loại file: .pdf
  miễn phí


Tài liệu liên quan
© Copyright 2012 Trung tâm Thông tin Khoa học và Công nghệ - Sở Khoa học & Công nghệ TP. Cần Thơ
Địa chỉ: 118/3 Trần Phú - P.Cái Khế - Q.Ninh Kiều - TPCT
Điện thoại: 0710 3824031   Fax: 07103 812352
Lượt truy cập:
(Website trong thời gian thử nghiệm)