Cast   Canthostnews   Libol   Catex [ Đăng Ký ] [ Đăng Nhập ]

Thống kê

Tổng tài liệu: 44475
Trong đó:
  • Bài báo: 23
  • Đề tài - Dự án: 192
  • Media: 18
  • Sách: 576
  • Tài liệu khác: 40012
  • Tiêu chuẩn/ Quy chuẩn: 3654

Danh mục tài liệu

  Khoa học Tự nhiên (14830)
  Khoa học Kỹ thuật (15585)
  Khoa học Đời sống (1607)
  Xã hội và Nhân Văn (257)
  Khoa học Sức khỏe (8550)
  Tiêu chuẩn/Quy chuẩn (3646)

Danh mục Alphabet

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z


A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

 

11.72-sq cm Active-Area Wafer Interconnected PiN Diode Pulsed at 64 kA Dissipates 382 J and Exhibits an Action of 1.7 MA(sup 2)-s. (05/04/2013)
The Silicon carbide (SiC) device area is presently limited by material and processing defects. To meet the large current handling requirements of modern power conditioning systems, the paralleling of a large number of devices is required. This can increase costs and complexity through wafer dicing, device soldering, the inclusion of ballast resistors, and the formation of multiple wire bonds. Furthermore, paralleling numerous discrete devices increases package volume and weight and reduces power density. To overcome these complexities, PiN diodes were designed, fabricated at 83% yields, tested, and interconnected on a 3-inch 4H-SiC wafer to form an 11.72-sq cm active-area full-wafer...
Tác giả: Snook, M.; Hearne, H.; McNutt, T.; El-Hinnawy, N.; Veliadis, V. | Số trang: 5 | Lĩnh vực: Vật lý | Năm XB: 2012 | Loại tài liệu: Tài liệu khác
Tài liệu cần xác thực trước khi tải

Tiêu đềTải về
  | Số trang:
         | Loại file: .pdf
  miễn phí


Tài liệu liên quan
© Copyright 2012 Trung tâm Thông tin Khoa học và Công nghệ - Sở Khoa học & Công nghệ TP. Cần Thơ
Địa chỉ: 118/3 Trần Phú - P.Cái Khế - Q.Ninh Kiều - TPCT
Điện thoại: 0710 3824031   Fax: 07103 812352
Lượt truy cập:
(Website trong thời gian thử nghiệm)