1.55 Micrometer Sub-Micron Finger, Interdigitated MSM Photodetector Arrays with Low Dark Current.
(05/04/2013)
We have achieved following goals: * We have demonstrated the possibility to use a multiple wafer molecule beam epitaxy (MBE) system to grow 1.55 micrometer InGaAs based MSM detector structure on 4 inch GaAs substrate. * Design a mask to use flip-chip approach to fabricate MSM detector. A metal solder bump inkjet system was acquired. The system has the capability to deposit 25,000 metal bumps per second. A process development is under the way to develop the technique to use this advanced system for MSM detector bonding to replace the conventional wire bonding. * Transparent IZGO and IZO TFTs have...
Tác giả: Ren, F.; Pearton, S. J. |
Số trang: 17 |
Lĩnh vực: Vật lý |
Năm XB: 2010 |
Loại tài liệu: Khác
Tài liệu cần xác thực trước khi tải
Tiêu đề | Tải về |
| Số trang:
| Loại file:
|
miễn phí
|
© Copyright 2012 Trung tâm Thông tin Khoa học và Công nghệ - Sở Khoa học & Công nghệ TP. Cần Thơ
Địa chỉ: 118/3 Trần Phú - P.Cái Khế - Q.Ninh Kiều - TPCT
Điện thoại: 0292 3824031 Fax: 0292 3812352
|
|
Lượt truy cập:
(Website trong thời gian thử nghiệm)