Gallium Nitride (GaN) High Power Electronics (FY11).
(05/04/2013)
This report covers work done for the Director's Research Initiative (DSI) on Gallium Nitride (GaN) High Power Electronics (HPE) in which GaN devices are assessed in comparison to those fabricated from silicon carbide (SiC). We show that for low power applications (less than 1500 V) GaN diodes should have a lower on-resistance, and therefore less loss, than their SiC counterparts because the critical breakdown field and electron mobility are larger. We expect this will also be true for HPE GaN high electron mobility transistors (HEMTs) compared to SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs). Although a few GaN devices have been...
Tác giả: Jones, K. A.; Tompkins, R. P.; Derenge, M. A.; Kirchner, K. W.; Batyrev, I. G. |
Số trang: 36 |
Lĩnh vực: Điện - Điện tử |
Năm XB: 2012 |
Loại tài liệu: Khác
Tài liệu cần xác thực trước khi tải
Tiêu đề | Tải về |
| Số trang:
| Loại file:
|
miễn phí
|
© Copyright 2012 Trung tâm Thông tin Khoa học và Công nghệ - Sở Khoa học & Công nghệ TP. Cần Thơ
Địa chỉ: 118/3 Trần Phú - P.Cái Khế - Q.Ninh Kiều - TPCT
Điện thoại: 0292 3824031 Fax: 0292 3812352
|
|
Lượt truy cập:
(Website trong thời gian thử nghiệm)