1.8 kV, 10 mOmega-square cm 4H-SiC JFETs (Preprint).
(05/04/2013)
Fabrication and characteristics of high voltage, normally-on junction field effect transistors (JFETs) in 4H-silicon carbide (4H-SiC) are presented. The devices were built on 5x10(exp 15) cm(exp -3) doped, 12 micron thick n-type epilayer grown on a n+ 4H-SiC substrate. A specific on-resistance of 10 mOmega-square cm and a blocking voltage of 1.8 kV were measured. Device characteristics were measured for temperatures up to 300 deg C. An increase of specific on-resistance by a factor of 5 and a decrease in transconductance were observed at 300 deg C, when compared to the value at room temperature. This is due to a...
Tác giả: Scofield, J.; Ryu, S.; Krishnaswami, S.; Fatima, H.; Agarwal, A. K. |
Số trang: 8 |
Lĩnh vực: Điện - Điện tử |
Năm XB: 2006 |
Loại tài liệu: Khác
Tài liệu cần xác thực trước khi tải
Tiêu đề | Tải về |
| Số trang:
| Loại file:
|
miễn phí
|
© Copyright 2012 Trung tâm Thông tin Khoa học và Công nghệ - Sở Khoa học & Công nghệ TP. Cần Thơ
Địa chỉ: 118/3 Trần Phú - P.Cái Khế - Q.Ninh Kiều - TPCT
Điện thoại: 0292 3824031 Fax: 0292 3812352
|
|
Lượt truy cập:
(Website trong thời gian thử nghiệm)