1 GHz, 200 C, SiC MESFET Clapp Oscillator.
(05/04/2013)
A SiC Clapp oscillator frabricated on an alumina substrate with chip capacitors and spiral inductors is designed for high temperature operation at 1 gigahertz. The oscillator operated from 30 to 200 C with an output power of 21.8 dBm at 1 gigahertz and 200 C. The efficiency at 200 C is 15 percent. The frequency variation over the temperature range is less than 0.5 percent....
Tác giả: Ponchak, G. E.; Schwartz, Z. D. |
Số trang: 3 |
Lĩnh vực: Điện - Điện tử |
Năm XB: 2005 |
Loại tài liệu: Khác
Tài liệu cần xác thực trước khi tải
Tiêu đề | Tải về |
| Số trang:
| Loại file:
|
miễn phí
|
© Copyright 2012 Trung tâm Thông tin Khoa học và Công nghệ - Sở Khoa học & Công nghệ TP. Cần Thơ
Địa chỉ: 118/3 Trần Phú - P.Cái Khế - Q.Ninh Kiều - TPCT
Điện thoại: 0292 3824031 Fax: 0292 3812352
|
|
Lượt truy cập:
(Website trong thời gian thử nghiệm)