Cast   Canthostnews   Libol   Catex [ Đăng Ký ] [ Đăng Nhập ]

Thống kê

Tổng tài liệu: 53365
Trong đó:
  • Bài Báo: 4532
  • Đề tài - Dự án: 379
  • Khác: 42729
  • Media: 85
  • Sách: 1045
  • Tiêu chuẩn/ Quy chuẩn: 4595

Danh mục tài liệu

  Khoa học Tự nhiên (16539)
  Khoa học Kỹ thuật (17907)
  Khoa học Đời sống (3301)
  Xã hội và Nhân Văn (1993)
  Khoa học Sức khỏe (8878)
  Tiêu chuẩn/Quy chuẩn (4747)

Danh mục Alphabet

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z


A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

 

1 GHz, 200 C, SiC MESFET Clapp Oscillator. (05/04/2013)
A SiC Clapp oscillator frabricated on an alumina substrate with chip capacitors and spiral inductors is designed for high temperature operation at 1 gigahertz. The oscillator operated from 30 to 200 C with an output power of 21.8 dBm at 1 gigahertz and 200 C. The efficiency at 200 C is 15 percent. The frequency variation over the temperature range is less than 0.5 percent....
Tác giả: Ponchak, G. E.; Schwartz, Z. D. | Số trang: 3 | Lĩnh vực: Điện - Điện tử | Năm XB: 2005 | Loại tài liệu: Khác
Tài liệu cần xác thực trước khi tải

Tiêu đềTải về
  | Số trang:
         | Loại file: .pdf
  miễn phí


Tài liệu liên quan
© Copyright 2012 Trung tâm Thông tin Khoa học và Công nghệ - Sở Khoa học & Công nghệ TP. Cần Thơ
Địa chỉ: 118/3 Trần Phú - P.Cái Khế - Q.Ninh Kiều - TPCT
Điện thoại: 0292 3824031   Fax: 0292 3812352
Lượt truy cập:
(Website trong thời gian thử nghiệm)